武漢武整整流器有限公司近日推出采用離子注入和分壓環(huán)結(jié)構(gòu)的雙極功率模塊，解決高性價(jià)比應(yīng)用的具體需求。這種新型模塊進(jìn)一步解決了國(guó)產(chǎn)功率在模塊在電流/電壓上升率低,正反向電壓容易擊穿等問(wèn)題。武整為受成本和性能限制的工業(yè)驅(qū)動(dòng)、可再生能源、軟啟動(dòng)器、UPS系統(tǒng)、焊接和靜態(tài)開(kāi)關(guān)等不同應(yīng)用提供優(yōu)化的解決方案。
該模塊不僅封裝尺寸較小(不超過(guò)50mm)，而且市場(chǎng)價(jià)格比相關(guān)進(jìn)口模塊低30%左右(取決于模塊/應(yīng)用)，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)或UPS等不要求壓力接觸的高魯棒性應(yīng)用，該模塊是理想的選擇。而對(duì)于軟啟動(dòng)器或靜態(tài)開(kāi)關(guān)等以高魯棒性作為重要標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用，武整整流器將提供壓力接觸的最佳解決方案。例如，直接在惡劣的電網(wǎng)電壓條件下運(yùn)行的輸入整流器應(yīng)用對(duì)耐用性的要求會(huì)隨著模塊尺寸的增加而提高，因此需要采用高度穩(wěn)定的壓力接觸技術(shù)。
技術(shù)特點(diǎn)：
一. 選進(jìn)口德國(guó)進(jìn)口瓦克區(qū)熔單晶作為產(chǎn)品的基底材料，材料具有極低的晶格缺陷以及電阻率分布的超高一致性
二. 芯片采用分壓環(huán)平面結(jié)構(gòu)，VDRM以及VRRM穩(wěn)定性好，電壓最高可達(dá)2200V
三. 芯片選用SIPOS（半絕緣摻氧多晶硅）作為終端鈍化膜層，使用SIPOS的產(chǎn)品具有極低的高溫漏電，產(chǎn)品高溫穩(wěn)定性極佳
四. 芯片采用AL、V、Ni、AG四層金屬結(jié)構(gòu)，形成高可靠歐姆接觸
五. 芯片主結(jié)構(gòu)選用離子注入技術(shù)形成，具有極高的穩(wěn)定性及一致性。
六. 芯片主結(jié)構(gòu)選用中心門極+放大環(huán)結(jié)構(gòu)具有極高的電流上升率和電壓上升率
七. 芯片采用320um厚度，具有極低的正向壓降
八. DBC高效散熱絕緣基片
九. 鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐+氫氮?dú)獗Ｗo(hù)燒結(jié)工藝
新一代功率模塊提供的封裝底板寬度為20mm, 25mm, 34mm。每種封裝均提供五種方便整流器設(shè)計(jì)(2種晶閘管/晶閘管TT、2種晶閘管/二極管TD和1種二極管/二極管DD)的模塊。武整整流器提供的產(chǎn)品涵蓋主要電流額定值的每種尺寸，所有型號(hào)均提供1600V阻斷電壓。在此類模塊中，采用焊接技術(shù)的模塊是針對(duì)成本優(yōu)化的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)解決方案，而采用壓力接觸技術(shù)的模塊則是為滿足高電流應(yīng)用和高可靠性的需求。
相比僅使用DCB基底向散熱器傳熱的模塊，這種帶絕緣銅底板的功率模塊具有更低的瞬態(tài)熱阻，從而在過(guò)載的情況下能夠具有更高的可靠性。該功率模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化的外殼和蓋子結(jié)構(gòu)在擰緊主端子時(shí)只需極小的扭力，而且模塊具備一流的焊接質(zhì)量。此外，這種模塊功耗最低，因而能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。