當(dāng)可控硅損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。按下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析:
(1).電壓擊穿??煽毓枰虿荒艹惺茈妷憾鴵p壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
(2).電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
(3).di/dt(電流上升率損壞)。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。
(4).邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。
(5).G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓而損壞,其芯片G-K間有燒焦的通路(短路痕跡)。更多有關(guān)晶閘管知識歡迎訪問武漢武整整流器有限公司官網(wǎng)(bjrl4u.com)