二極管模塊的參數(shù)：
1，正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM
2，I2t
3，工作結(jié)溫Tj
4，殼溫Tc
5，正向峰值電壓VFM
6，反向重復(fù)峰值電流IRRM
7，結(jié)殼熱阻Rjc
這幾個(gè)參數(shù)的值是依據(jù)什么得出的?
(1)以上7個(gè)參數(shù)常出現(xiàn)在大功率二極管模塊上，其芯片使用的是普通整流管芯片。一般是把兩個(gè)芯片封裝在一個(gè)模塊專用塑料外殼內(nèi)。芯片串聯(lián)后引出三個(gè)電極。
參數(shù)中有兩個(gè)，即：“4，殼溫Tc”和“7，結(jié)殼熱阻Rjc”與塑料外殼的金屬導(dǎo)熱底版有關(guān)，其他均為整流管芯片的固有參數(shù)，它們來(lái)源于半導(dǎo)體整流二級(jí)管PN結(jié)的基本設(shè)計(jì)原理。
整流二級(jí)管最基本額定值參數(shù)有兩個(gè)，一是正向平均電流IF(AV) ，一是反向重復(fù)峰值電壓VRRM ， 簡(jiǎn)稱“正向電流和反向耐壓”， 常用來(lái)表達(dá)此產(chǎn)品規(guī)格(為以下敘述方便。暫稱此兩值為“主要額定值” )。有了該產(chǎn)品的規(guī)格后，就有該產(chǎn)品的一系列參數(shù)的額定值，其合格范圍被規(guī)定在執(zhí)行的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中。國(guó)標(biāo)“GB4939—□□ 《普通整流管》”和“GB4023—□□ 《半導(dǎo)體器件整流二極管的測(cè)試方法》”中對(duì)上述7參數(shù)額定值合格范圍有詳細(xì)規(guī)定。(注：國(guó)標(biāo)名稱中的“□□”為該國(guó)標(biāo)的版本年份，例如85年版的普通整流管國(guó)標(biāo)即為“GB4939—85《普通整流管》” 。)
(2)上述7個(gè)參數(shù)直接與PN結(jié)設(shè)計(jì)有關(guān)的有三項(xiàng)：1，正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM 、5，正向峰值電壓VFM 和6，反向重復(fù)峰值電流IRRM。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM 出自主要額定值“正向平均電流IF(AV)” ，前者是后者峰值的六倍。正向峰值電壓VFM是在整流二極管通過(guò)與額定值正向平均電流IF(AV)相當(dāng)?shù)姆逯惦娏鲿r(shí)測(cè)得的。反向重復(fù)峰值電流IRRM是在整流二極管反向加上額定值反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)測(cè)得的。所以，在檢測(cè)這3項(xiàng)參數(shù)同時(shí)，也檢測(cè)了器件是否達(dá)到正向平均電流IF(AV) 及反向重復(fù)峰值電壓VRRM 兩個(gè)主要額定值。
這幾項(xiàng)與所用硅單晶的原始電阻率、晶片厚度、晶片直徑、PN結(jié)摻雜表面濃度及體內(nèi)濃度分布、硅單晶制造工藝、硅單晶缺陷和陷阱能級(jí)及PN結(jié)制造工藝等因素有關(guān)。設(shè)計(jì)者通過(guò)公式、各種曲線、參數(shù)表等進(jìn)行計(jì)算、查找，設(shè)計(jì)原始硅晶片及芯片圖紙、提出技術(shù)要求;對(duì)PN結(jié)制造、表面處理等工藝提出要求;編寫(xiě)芯片制成后的質(zhì)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)等。
(3)半導(dǎo)體的工作狀況與溫度有極大的關(guān)系。除了各項(xiàng)參數(shù)隨溫度而變的特性外，還有其極限溫度。例如，單晶鍺接近100℃、單晶硅到200℃左右，就不再是半導(dǎo)體，諸如PN結(jié)整流作用等一系列半導(dǎo)體特有的性能就失去了。為此國(guó)標(biāo)就規(guī)定了“工作結(jié)溫Tj”范圍。普通整流管規(guī)定為：-40℃—150℃ 。
(4)參數(shù)“I2t” 反映整流二極管受短時(shí)熱沖擊能力。當(dāng)線路過(guò)載或短路時(shí)，器件在短時(shí)內(nèi)會(huì)流過(guò)一個(gè)大電流并使其結(jié)溫突然上升，甚至超過(guò)最高允許工作結(jié)溫Tj，只要在參數(shù)“I2t”規(guī)定值之內(nèi)器件不能損壞。通常在線路中要有過(guò)流保護(hù)措施，即加熔斷器，此值用于熔斷器的選擇。器件設(shè)計(jì)時(shí)，通過(guò)計(jì)算及試驗(yàn)要使參數(shù)I2t達(dá)到國(guó)標(biāo)規(guī)定值。當(dāng)然它還與散熱有關(guān)，必須認(rèn)真考慮芯片的瞬態(tài)熱阻。
(5)結(jié)殼熱阻Rjc是穩(wěn)態(tài)熱阻，反映芯片在穩(wěn)定工作時(shí)發(fā)熱所產(chǎn)生的熱量傳到外殼能力。它與外殼內(nèi)芯片與導(dǎo)熱底版間導(dǎo)熱好壞有關(guān)，如接觸面的平整度、光潔度、材料導(dǎo)熱系數(shù)等。知道結(jié)殼熱阻Rjc、設(shè)計(jì)者在設(shè)定芯片安全工作結(jié)溫后，就可計(jì)算芯片不同發(fā)熱量時(shí)的二極管模塊外殼允許最高溫度，殼溫Tc 。熱量傳到外殼后就得用散熱器把熱量傳到介質(zhì)空氣或水中并由它們帶走。設(shè)計(jì)好一個(gè)良好的散熱系統(tǒng)，保證殼溫Tc低于外殼允許最高溫度之下。這里要留有一定設(shè)計(jì)余量，上面說(shuō)到的芯片安全工作結(jié)溫也不是150℃，也要留有余量。兩個(gè)余量留多少，這由設(shè)計(jì)者根據(jù)設(shè)備工況而定。
