雙向可控硅的原理是什么呢？
雙向可控硅可以用門極和第一陽極之間的正向或負向電流觸發(fā)。因而能在四個"象限"觸發(fā)。
缺點：
（1）、高IGT需要高峰值IG。
（2）、由IG觸發(fā)到負載電流開始流動，兩者之間遲后時間較長;要求IG維持較長時間。
（3）、低得多的dit/dt承受能力;若控制負載具有高di/dt值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強烈退化。
（4）、高IL值;對于很小的負載，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的IG，才能讓負載電流達到較高的IL。更多有關可控硅知識歡迎訪問武整官網(wǎng)（bjrl4u.com）；
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