當(dāng)陽(yáng)極加正向電壓時(shí),BG1和BG2管處于放大狀態(tài),此時(shí)由雙向可控硅的控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),便使得BG2管有基極電流ib2通過(guò),經(jīng)過(guò)BG2管的放大后,其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,故有ib1=ic2,電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極,使BG2的基極電流ib2增大,從而形成正向反饋使電流劇增,使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于電路中形成正反饋,所以可控硅導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷,即使控制極G端的電流消失,可控硅仍能維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。
可控硅只有導(dǎo)通、關(guān)斷兩種狀態(tài),具有開(kāi)關(guān)特性,但是這種開(kāi)關(guān)特性的實(shí)現(xiàn)存在一定的前提條件。當(dāng)陽(yáng)極電位始終高于陰極電位,并且控制極G端存在足夠的正向電壓和電流時(shí),可實(shí)現(xiàn)可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)陽(yáng)極電位始終高于陰極電位,并且陽(yáng)極電流大于維持電流時(shí),可保持可控硅的導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)陽(yáng)極電位低于陰極電位,或者陽(yáng)極電流小于維持電流時(shí),均可實(shí)現(xiàn)由可控硅的導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化至關(guān)斷狀態(tài)。更多有關(guān)可控硅知識(shí)歡迎登錄武整官網(wǎng)(bjrl4u.com)