可控硅也稱作晶閘管，電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不像繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快、壽命長、可靠性好。
可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。
什么是可控硅及應(yīng)用
主要參數(shù)
電壓平均值
額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極--陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
峰值電壓
正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值;反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。
電流
額定通態(tài)電流(IT)即最大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
耐壓
反向重復(fù)峰值電流(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM)，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
觸發(fā)電流
控制極觸發(fā)電流(IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
額定正向平均電流
在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。
控制極觸發(fā)電流1g1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極--陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。
維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的最小陽極正向電流。
主要性能優(yōu)點(diǎn)
1.無涌流，對系統(tǒng)無影響。
2.大功率晶閘管在一個(gè)諧波周期內(nèi)完成電容器的投切，無論系統(tǒng)無功量變化多么頻繁，補(bǔ)償裝置都能實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)無功功率跟隨補(bǔ)償，其響應(yīng)時(shí)間≤20ms。
3.動(dòng)態(tài)跟隨補(bǔ)償?shù)目焖傩?，可對系統(tǒng)諧波作同步諧波濾除治理。
4.可做大容量，也可以做小容量，最大帶90Kvar;若300Kvar的補(bǔ)償整柜按30+45+60+75+90分組可在實(shí)現(xiàn)30Kvar倍數(shù)的前提下減少5個(gè)支路，增加8種補(bǔ)償容量(45、75、105、135、165、195、225、255)。
5.晶閘管投切開關(guān)通常用三只單相的可控硅固定在鋁合金強(qiáng)制風(fēng)冷散熱模塊上，后期維護(hù)方便，如出現(xiàn)某只可控硅損壞可快速更換，其他可控硅可繼續(xù)使用。
6.動(dòng)態(tài)跟蹤系統(tǒng)無功功率實(shí)時(shí)進(jìn)行一步到位補(bǔ)償，漏補(bǔ)無功功率最小，適用場合不受負(fù)荷變化、諧波大小、系統(tǒng)容量的影響。更多有關(guān)可控硅知識歡迎登錄武整官網(wǎng)（bjrl4u.com）