一、晶閘管高di/dt的意義
晶閘管的開通臨界電流上升率，反映了器件的大電流迅速開通能力。提高晶閘管的臨界電流上升率，對于用戶使用有重要的意義。
(1)晶閘管的高di/dt，可以在許多場合省去了串聯在晶閘管上的保護電感線圈，簡化了整機設計，減小了設備成本。
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(2)在并聯逆變工作線路中，晶閘管的高di/dt性能可使設計者減小晶閘管的換流時間，提高設備的工作頻率。
(3)晶閘管的高di/dt性能可使它方便地應用于部分脈沖功率電源領域。
二、晶閘管工作于高di/dt時需注意事項
(1)晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結溫有直接關系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：Tj≤125°C，高頻、快速晶閘管：Tj≤115°C。
(2)晶閘管的di/dt承受能力實際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時間和開通損耗，增強器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：
觸發(fā)電流幅值：IGM=(4至10倍)IGT
觸發(fā)電流上升時間：tr小于1μs
(3)晶閘管在承受過高的di/dt時，會在其芯片產生局部瞬時高溫，這種局部瞬時高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時候，都應保證di/dt不應超過器件生產廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。
(4)晶閘管的di/dt與其開通損耗關系極大，晶閘管高di/dt應用于高頻率場合時，需考慮開通損耗上升引起的結溫上升，用戶應考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強器件散熱能力。
綜上所述，增強器件局部瞬時浪涌時的溫度承受能力，即晶閘管結溫上升越小越好，就能大大提升器件的di/dt能力。要做到這一點，關鍵是散熱器的瞬態(tài)熱阻要小。更多有關可控硅知識歡迎訪問武整官網（bjrl4u.com）
